第十代QLC 3D闪存标志着AI存储架构、云平台及数据密集型创新的重大飞跃
未来内存与存储大会(FMS)——Kioxia Holdings Corporation (TOKYO: 285A)旗下子公司Kioxia Corporation与Sandisk Corporation (Nasdaq: SNDK)今日联合发布其新一代四层单元(QLC) 3D闪存技术。与第八代产品相比，该技术的比特密度提升高达60%，突破37 Gb/mm²，树立了比特密度、性能和能效的行业标杆1。
新一代技术利用两家公司革命性的CMOS直接键合至阵列(CBA)技术2，将CMOS逻辑电路和存储阵列分别在不同的晶圆上制造，然后通过高精度的晶圆对晶圆对准将它们键合在一起，与第八代3D闪存相比，提高了读写带宽，并成为业界首款达到4.8 Gb/s3接口的QLC 3D闪存技术。
此外，额外的接口改进提升了I/O数据输出的传输能效。这些大幅度的能效升级直接解决了现代AI和云基础设施面临的功耗与散热挑战。
Kioxia首席技术官Hideshi Miyajima表示：“随着AI持续支撑社会的进步，其应用正从生成式AI扩展到基于智能体的AI和物理AI，同时数据的使用也变得日益多样化和复杂。QLC技术能够高效存储快速增长的数据量，有助于为AI系统提供更高的性能和可扩展性。Kioxia将加速推进采用QLC技术的第十代闪存产品的商业化开发。”
Sandisk首席技术官Alper Ilkbahar表示：“随着AI训练、推理和超大规模数据中心工作负载推动数据生成量出现前所未有的增长，存储行业面临着提供更大容量、更高性能和更优能效的越来越大的压力。通过重新定义QLC NAND的性能和效率边界，我们的第十代QLC 3D闪存在密度、带宽和能效方面实现了同步提升，确立了大容量闪存存储的新范式，为新一代基础设施应用提供了可扩展的基础。”
第十代QLC 3D闪存技术的主要亮点包括：
- 与第八代产品相比，332层架构与经过优化的平面布局设计使比特密度提升高达60%，达到37 Gb/mm²以上。
- 通过Toggle DDR6.0和分离命令地址(SCA)协议实现4.8 Gb/s3 NAND接口，充分释放高速接口的潜力。
- CMOS直接键合至阵列(CBA)架构增强了密度微缩、性能和制造效率。
- 电源隔离低抽头终端(PI LTT)提升了I/O数据输出的传输能效。
- 截至2026年8月4日，根据Kioxia和Sandisk调查。
- 将每个CMOS晶圆和存储单元阵列晶圆在其优化状态下分别制造，然后键合在一起的技术。
- 1Gb/s计算为1,000,000,000比特/秒。此数值是在我们特定的测试环境下测得，可能会因使用条件而有所不同。
关于Kioxia
Kioxia是全球存储解决方案领域的领军企业，致力于闪存和固态硬盘(SSD)的开发、生产和销售。其前身Toshiba Memory于2017年4月从1987年发明NAND闪存的公司Toshiba Corporation分拆而出。Kioxia致力于通过提供产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia创新的3D闪存技术BiCS FLASH™正在塑造存储技术在高密度应用领域（包括高级智能手机、PC、汽车系统、数据中心和生成式AI系统）的未来。
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